江苏半导体光刻技术-半导体光刻技术工厂-半导体研究所

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光刻掩膜版清洗一般使用掩膜版清洗液，是有专门的额清洗机器的。首先将掩膜版放入掩膜版清洗机一边冲洗一边旋转，将污染颗粒冲洗干净，之后在高速旋转烘干。目前而言，掩膜版清洗机可以清洗的掩膜版尺寸包括3寸，4寸，5寸，6寸的掩膜版。

光刻是一门比较综合的技术，它采用照相复印的技术，将光刻掩膜版上的图形在涂有光刻胶的金属蒸发层上。如果掩膜版受光刻胶污染，很大程度上会影响---，半导体光刻技术平台，带来影响，因此光刻过程中需要保持掩膜版的干净。

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光刻胶是一种有机化合物，它被紫外光---后，在显影溶液中的溶解度会发生变化。

光刻胶是光刻工艺中关键材料，国产替代需求紧迫。光刻工艺是指在光照作用下，江苏半导体光刻技术，借助光刻胶将掩膜版上的图形转移到基片上的技术，在半导体制造领域，随着集成电路线宽缩小、集成度大为提升，光刻工艺技术难度大幅提升，成为延续摩尔定律的关键技术之一。同时，器件和走线的复杂度和密集度大幅度提升，制程关键层次需要两次甚至多次---来实现。其中，光刻胶的和性能是影响集成电路性能、成品率及---性的关键因素。光刻胶经过几十年不断的发展和进步，应用领域不断扩大，衍生出非常多的种类。不同用途的光刻胶---光源、反应机理、制造工艺、成膜特性、加工图形线路的精度等性能要求不同，导致对于材料的溶解性、耐蚀刻性、i感光性能、耐热性等要求不同。因此每一类光刻胶使用的原料在化学结构、性能上都比较特殊，要求使用不同品质等级的光刻胶化学品。

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